MOS管反向击穿电压,mos管内部二极管的作用

MOS管反向击穿电压,mos管内部二极管的作用

由于MOSFET有自己的体二极管，如果反向施加电压，二极管就会导通；因此，MOSFET只有正向击穿电压，而没有反向击穿电压。 所以只有很小的反向击穿电压。 Metal-OxideSemiconductor回复：固态MOSFET输出端的耐压值（MOSFET的反向击穿电压）是多少？ 能耐24V电压吗？ 只看一楼原海报2021-02-1017:10:31

＞▽＜ MOS管的防反接和防过压电路是集成在防反接中的。这实际上利用了左下角NMOS管的特性。对于NMOS，如果我们在上图中加上反向电压，它就不会导通。 TheconditionforNMOStoturnonisthattheGelectrodeisconnectedtoahighpotential.Inaddition,thefigureaboveisnotatthebase.Duetotheexistenceofthebase-emitterjunction,thereversewithstandvoltageofthebase-emitterjunctionislimited,andthereversevoltageimpactgeneratedbytheloadinductanceisveryhigh,thuscausinginstantaneousbreakdownofthebase-emitterjunction,producingareversecurrent,theso-calledreversevoltageshock. 这

晶体管反向击穿电压测试仪的原理与制作。这里介绍一款可以用普通万用​​表测量晶体管反向击穿电压的小仪器。其测量范围为0~1000V，可以满足一般的测量要求。 2018-MOSFET击穿电压-MOS管击穿的解决方法首先，MOS管本身的输入电阻很大，栅极和源极之间的电容很小，所以很容易受到外部电磁场或静电的感应而带电。 少量的电荷可以在电极之间形成非常高的电容。

1、选择合适的MOS管。选择MOS管时，应考虑其反向漏电流、反向击穿电压等参数。 反向漏电流越小，为什么反向静电会击穿MOS管以及如何解决。一个是电压型，即栅极的薄氧化层击穿，形成针孔，使栅极与源极短路，或造成栅极与漏极短路；2022-07-2608:55:23详细文章

击穿电压20世纪80年代后期，MOS场效应管的BVDSS漏源击穿电压在400V到1000V之间达到了极限。随着Rds(ON)的提高，大封装依靠硅片面积的增加来实现这一效果。PLANER缺点：Rds(ON))上升很快，Rds(ON)∝BV2.6，功耗低功耗增大，MOS管的反向电压一般为负电压，但也有正电压的MOS管。 正电压MOS管的反向电压是由电路结构决定的。此类MOS管通常用于电源和驱动电路中控制大电流。 由于MOS管的反向电压范围