短路引起的事故隐患 注意配电柜内不能放任何杂物,尤其水杯等,灰尘也不能过多,特别是油性灰尘 再一个检修时注意点,控制好剪下的琐碎电缆头,曾有过电工维修时因...
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MOS管反向击穿电压 |
场效应管的特点,场效应管本质上是一个
(1)场效应晶体管是电压控制器件,通过vgs(栅源电压)控制sid(漏极电流);(2)场效应晶体管的控制输入电流极小,因此其输入电阻(107~1012Ω)很大。 3)它利用了大多数(两种)场效应晶体管的特点。场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点。 双极晶体管和功率晶体管已变得强大
具有体积小、功耗低、响应速度快、可靠性高、抗干扰能力强等性能特点。 场效应晶体管具有以下特点:(1)场效应晶体管是电压控制器件,通过VGS(栅源电压)控制ID(漏极)。场效应晶体管具有以下特点:(1)场效应晶体管是电压控制器件。 它通过UGS控制ID;(2)场效应晶体管的输入电流极小,因此输入电阻很大。(3)它采用多数载流子导电,因此温度稳定
特点及原理:1、当v_{GS}越大,耗尽层越厚。当耗尽层厚到一定程度时,就会形成一个通道。这个通道可以允许电流i_{D}通过。 2.由于其PN结必须反向偏置,所以V_{DS}必须为正。同结FET的开关速度与输入电容特性有很大关系。由于输入电容特性的存在,开关速度变慢,但当用作开关时,可以降低驱动电路的内部电阻,加快开关速度(提高电流速度以提高电容器的充放电速度)
与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有以下特点。
(1)场效应晶体管是压控器件,其特点是VGS(栅源电压):输入电阻高(100MΩ~1000MΩ)、低噪声、低功耗、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区宽、热稳定性好等优点,成为双极型晶体管的代表
˙ω˙ 场效应晶体管的特点1、场效应晶体管是压控器件,栅极基本不吸取电流,而三极管是电流控制器件,基极必须吸取一定的电流。因此,当信号源的额定电流极小时,常采用场效应管。 2.场效应晶体管是多场效应晶体管。特点1.场效应管是电压控制器件,栅极基本上不带电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须带一定电流。因此,信号源的额定电流极小的情况下,常采用场效应晶体管。 2.场效应晶体管是多子导体,而晶体管是两子导体
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